Transistor de silicio
Ref.: 2SD1944
Tipo: Transistor de silicio NPN
Canal: N
VCBO: 80V
VCEO: 60V
IC: 3A
ICP: 6A
PC: 30W
FT: 50MHz
TJ máxima: 150ºC
TSTG: -55ºC a +150ºC
Encapsulado: SOT-186
Aplicación: Amplificador de potencia para baja frecuencia
